ПРОГРАММА

вступительных испытаний по направлению магистратуры 210100.68

«Электроника и наноэлектроника»


  1. Статистика электронов в полупроводниках. Функция распределения Ферми-Дирака. Вырожденные и невырожденые полупроводники, критерий вырождения электронного газа. Зависимость концентрации свободных зарядов от положения уровня Ферми в невырожденном полупроводнике.

  2. Слабые поля. Электропроводность полупроводников. Зависимость проводимости от температуры.

  3. Неравновесные носители зарядов. Генерация и рекомбинация. Квазиуровень Ферми. Фотопроводимость.

  4. Поляризация твердых тел в постоянном электрическом поле. Локальное поле Лоренца.

  5. Поле и потенциал в “р-п” переходе. Вольт-амперная характеристика диода с “р-п” переходом. Односторонняя инжекция, гетеропереходы.

  6. Принцип действия полевого МДП транзистора. Вольт-амперные характеристики в активном и подпороговом режимах.

  7. Светодиоды и полупроводниковые лазеры.

  8. Физические процессы в биполярных транзисторах. Дифференциальные параметры в схемах с общей базой, общим эмиттером.

страница 1


скачать

Другие похожие работы: